傳統(tǒng)硅酸亞鐵鋰的電子電導(dǎo)率低，從而造成其低的初始容量和循環(huán)衰減快，限制了進一步發(fā)展。我們還提供一種新的技術(shù)方案，采用氮化錳修飾碳包覆可以提高材料的電子電導(dǎo)率，提升其放電比容量和循環(huán)穩(wěn)定性。通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：

      氮化錳修飾碳包覆硅酸亞鐵鋰的制備方法，該方法包括如下步驟：
      （1）、按Li：Fe：Si摩爾比為2:1:1稱取鋰化合物、鐵化合物、硅化合物，將鋰化合物、鐵化合物溶解在去離子水中，轉(zhuǎn)移到水熱釜中，加入硅化合物和原料質(zhì)量分?jǐn)?shù)1-5%的抗壞血酸，再加入原料質(zhì)量分?jǐn)?shù)2-30%的碳源，120-200℃下反應(yīng)4-20h后，用去離子水洗滌至中性，在50-90℃下烘干成粉末。
      （2）、在步驟（1）粉末中，按鋰、錳摩爾比為1:（0.01-0.1）加入錳源置于球磨設(shè)備中球磨4-10h得到硅酸亞鐵鋰前驅(qū)體粉末。
      （3）、將步驟（2）中的前驅(qū)體粉末在高純氮氣（≥99.99%）氣氛保護下600-800℃氮化燒結(jié)4-8h，再通入惰性氣氛600-800℃燒結(jié)5-15h，自然冷卻研磨得到目標(biāo)產(chǎn)物氮化錳修飾碳包覆硅酸亞鐵鋰正極材料。